თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. R9G00612XX

Powerex Inc. - R9G00612XX

KEY Part #: K6431887

R9G00612XX ფასები (აშშ დოლარი) [647ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$71.70883
  • 30 pcs$69.24222
Ნაწილი ნომერი:
R9G00612XX
მწარმოებელი:
Powerex Inc.
Დეტალური აღწერა:
DIODE GP 600V 1200A DO200AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Powerex Inc. R9G00612XX electronic components. R9G00612XX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R9G00612XX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R9G00612XX პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : R9G00612XX
მწარმოებელი : Powerex Inc.
აღწერა : DIODE GP 600V 1200A DO200AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1200A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.45V @ 1500A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 25µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 150mA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : DO-200AB, B-PUK
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-200AB, B-PUK
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SB250-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 2A 50V DO-41. Schottky Diodes & Rectifiers 2A, 50V, AXIAL, SCHOTTKY RECT

  • V8P45-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 4.3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 45V,TRENCH SKY RECT.

  • AS3PD-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A 200V

  • AR4PM-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.8A TO277. Rectifiers 4A,1000V,Fast RecoveryAvalanche SM

  • SS3P3L-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 3A TO277A.

  • V10P8HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 80V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified

ცხელი ნაწილები