NXP USA Inc. - A2I25D025GNR1

KEY Part #: K6465947

A2I25D025GNR1 ფასები (აშშ დოლარი) [3143ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$13.77885
  • 500 pcs$11.46579

Ნაწილი ნომერი:
A2I25D025GNR1
მწარმოებელი:
NXP USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC TRANS RF LDMOS.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in NXP USA Inc. A2I25D025GNR1 electronic components. A2I25D025GNR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2I25D025GNR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2I25D025GNR1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : A2I25D025GNR1
მწარმოებელი : NXP USA Inc.
აღწერა : IC TRANS RF LDMOS
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS (Dual)
სიხშირე : 2.69GHz
მოიპოვე : 31.9dB
ძაბვა - ტესტი : 28V
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 59mA
Ძალის გამოსავალი : 3.2W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : TO-270-17 Variant, Gull Wing
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-270WBG-17

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

  • MMRF1024HSR5

    NXP USA Inc.

    FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4.

  • A2T18H410-24SR6

    NXP USA Inc.

    IC TRANS RF LDMOS.