Infineon Technologies - T1960N20TOFVTXPSA1

KEY Part #: K6536747

[13933ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    T1960N20TOFVTXPSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies T1960N20TOFVTXPSA1 electronic components. T1960N20TOFVTXPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for T1960N20TOFVTXPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    T1960N20TOFVTXPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : T1960N20TOFVTXPSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : SCR MODULE 2200V 4100A DO200AD
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    სტრუქტურა : Single
    SCR– ების რაოდენობა, დიოდები : 1 SCR
    ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : 2.2kV
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : 1960A
    მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : 4100A
    ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 2.5V
    მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : 300mA
    ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : 40000A @ 50Hz
    მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : 300mA
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-200AD

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • MSTC160-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE T2.

    • MSTC110-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE T1.

    • MSFC160-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE F2.

    • MSFC110-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD THYRISTOR/DIODE F1.

    • MSDT150-16

      Microsemi Corporation

      POWER MOD BRIDGE THY 3PH M5.

    • MSDT100-16

      Microsemi Corporation

      PWR MOD THYRISTOR 1600V 100V SM4.