Vishay Siliconix - SIZF916DT-T1-GE3

KEY Part #: K6522485

SIZF916DT-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [120687ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.30647

Ნაწილი ნომერი:
SIZF916DT-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH DUAL 30V.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 electronic components. SIZF916DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZF916DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZF916DT-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIZF916DT-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH DUAL 30V
სერიები : TrenchFET® Gen IV
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
ძალა - მაქსიმუმი : 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-PowerPair® (6x5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ