ON Semiconductor - FSB70625

KEY Part #: K6532465

FSB70625 ფასები (აშშ დოლარი) [19851ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.07610
  • 1,000 pcs$1.51711

Ნაწილი ნომერი:
FSB70625
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MODULE SPM 250V 6.9A 27-QFN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FSB70625 electronic components. FSB70625 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FSB70625, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FSB70625 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FSB70625
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MODULE SPM 250V 6.9A 27-QFN
სერიები : Motion SPM® 7
ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
ტიპი : MOSFET
კონფიგურაცია : 3 Phase
მიმდინარე : 6.9A
Ვოლტაჟი : 250V
ძაბვა - იზოლაცია : 1500Vrms
პაკეტი / საქმე : 27-PowerLQFN Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.