Ampleon USA Inc. - BLS7G2729LS-350P,1

KEY Part #: K6465887

BLS7G2729LS-350P,1 ფასები (აშშ დოლარი) [122ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$377.13117
  • 10 pcs$371.28261

Ნაწილი ნომერი:
BLS7G2729LS-350P,1
მწარმოებელი:
Ampleon USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLS7G2729LS-350P,1 electronic components. BLS7G2729LS-350P,1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLS7G2729LS-350P,1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLS7G2729LS-350P,1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BLS7G2729LS-350P,1
მწარმოებელი : Ampleon USA Inc.
აღწერა : RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS (Dual), Common Source
სიხშირე : 2.7GHz ~ 2.9GHz
მოიპოვე : 13dB
ძაბვა - ტესტი : 32V
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 200mA
Ძალის გამოსავალი : 350W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : SOT539B
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT539B
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.