STMicroelectronics - STP4NK50Z

KEY Part #: K6415879

[12257ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    STP4NK50Z
    მწარმოებელი:
    STMicroelectronics
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 500V 3A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დენის მართვის მოდული and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in STMicroelectronics STP4NK50Z electronic components. STP4NK50Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP4NK50Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP4NK50Z პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : STP4NK50Z
    მწარმოებელი : STMicroelectronics
    აღწერა : MOSFET N-CH 500V 3A TO-220
    სერიები : SuperMESH™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 Ohm @ 1.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 310pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 45W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVNL110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • FDD6635

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 35V 15A DPAK.

    • RFD16N06LESM9A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 16A DPAK.

    • FQD4P40TM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK.

    • IRLI520NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP.

    • IRLI2910PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP.