Power Integrations - QH05TZ600

KEY Part #: K6441619

QH05TZ600 ფასები (აშშ დოლარი) [52540ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.74422
  • 450 pcs$0.50047

Ნაწილი ნომერი:
QH05TZ600
მწარმოებელი:
Power Integrations
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching H-Series 600V 5A Super-Low Qrr
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Power Integrations QH05TZ600 electronic components. QH05TZ600 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QH05TZ600, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QH05TZ600 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : QH05TZ600
მწარმოებელი : Power Integrations
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
სერიები : Qspeed™
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 3.1V @ 5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 10ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 250µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 17pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L