GBJ2002-F ფასები (აშშ დოლარი) [49481ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.74422
- 15 pcs$0.67035
- 105 pcs$0.53879
- 510 pcs$0.44266
- 1,005 pcs$0.34695
- Ნაწილი ნომერი:
- GBJ2002-F
- მწარმოებელი:
- Diodes Incorporated
- Დეტალური აღწერა:
- BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJ. Bridge Rectifiers 20A 200V
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Diodes Incorporated GBJ2002-F electronic components. GBJ2002-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBJ2002-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GBJ2002-F პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
GBJ2002-F
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 20A GBJ
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Single Phase
ტექნოლოგია :
Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
20A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.05V @ 10A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 200V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
4-SIP, GBJ
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
GBJ
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
GBPC1202W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 12 Amp Glass Passivated
-
GBPC1204W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 400V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 12 Amp Glass Passivated
-
GBPC1510W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 15 Amp Glass Passivated
-
GBPC2506W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 600 Volt
-
GBPC12005W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 50V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 50 Volt 12 Amp Glass Passivated
-
GBPC1502W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 1P 200V 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 15 Amp Glass Passivated
ცხელი ნაწილები
- VUO85-14NO7
- VUO64-16NO7
- VBO20-14AO2
- VBO25-14NO2
- 2KBP01M/1
- VUO18-16DT8
- GBU4JL-7088M3/51
- GBU4JL-5303M3/45
- G5SBA60L-6088M3/51
- CBR35-020PW
- CBR1F-D020S TR13
- PB32-BP
- 2KBP10ML-5E4/72
- 2KBP10ML-5/22
- 2KBP10M-E4/72
- MB4M-BP
- KBP08M-M4/51
- APT40DS10HJ
- M3P100A-160
- M3P100A-100
- DBD250G
- VJ248M
- MB05M-G
- GBU8DL-6088M3/45
- CBR6A-040
- 3N259-E4/51
- BR5010W-G
- M5060TB400
- PB62
- KBP206G-BP
- VUBM33-05P1
- RS405L-BP
- 2KBP01M-E4/51
- B483G-2T
- 51MT120KB
- 60MT80KB
- W01G
- MB3505W
- MB151
- VUO25-16NO8
选择你的位置