Micron Technology Inc. - MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B

KEY Part #: K914443

[5056ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B
    მწარმოებელი:
    Micron Technology Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    IC DRAM 8G 933MHZ FBGA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - ვიდეო ამპერები და მოდ, PMIC - ბატარეის დამტენები, PMIC - PFC (დენის ფაქტორების კორექტირება), PMIC - RMS to DC გადამყვანი, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, ლოგიკა - ლატჩები and ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B electronic components. MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B
    მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
    აღწერა : IC DRAM 8G 933MHZ FBGA
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    მეხსიერების ტიპი : Volatile
    მეხსიერების ფორმატი : DRAM
    ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR3
    მეხსიერების ზომა : 8Gb (256M x 32)
    საათის სიხშირე : 933MHz
    დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
    წვდომის დრო : -
    მეხსიერების ინტერფეისი : -
    ძაბვა - მიწოდება : 1.2V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -30°C ~ 85°C (TC)
    სამონტაჟო ტიპი : -
    პაკეტი / საქმე : -
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • 25LC256T-M/MF

      Microchip Technology

      IC EEPROM 256K SPI 10MHZ 8DFN. EEPROM Serial EEPROM 256K 32K X 8, 2.5V MIL T

    • 71T75902S75PFGI8

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M

    • 70V25S25PFGI8

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 128K PARALLEL 100TQFP. SRAM 8Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM

    • MT28EW512ABA1LPC-1SIT

      Micron Technology Inc.

      IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA.

    • MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR

      Micron Technology Inc.

      IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA.

    • MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR

      Micron Technology Inc.

      IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA.