Ნაწილი ნომერი :
TH58BVG2S3HBAI4
მწარმოებელი :
Toshiba Memory America, Inc.
აღწერა :
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
მეხსიერების ტიპი :
Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
FLASH
ტექნოლოგია :
FLASH - NAND (SLC)
მეხსიერების ზომა :
4Gb (512M x 8)
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
25ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
-
ძაბვა - მიწოდება :
2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
63-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
63-TFBGA (9x11)