Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG3S0HBAI6

KEY Part #: K925116

TH58BYG3S0HBAI6 ფასები (აშშ დოლარი) [8751ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.23552

Ნაწილი ნომერი:
TH58BYG3S0HBAI6
მწარმოებელი:
Toshiba Memory America, Inc.
Დეტალური აღწერა:
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - საათის გენერატორი, PLL, სიხშირის სინ, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აპარატურა, OP Amps, ბ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე, ლოგიკა - სპეციალობის ლოგიკა, PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები and მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG3S0HBAI6 electronic components. TH58BYG3S0HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58BYG3S0HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG3S0HBAI6 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TH58BYG3S0HBAI6
მწარმოებელი : Toshiba Memory America, Inc.
აღწერა : 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
სერიები : Benand™
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND (SLC)
მეხსიერების ზომა : 8Gb (1G x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 25ns
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : -
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 67-VFBGA (6.5x8)