ES1BLHMTG ფასები (აშშ დოლარი) [1190748ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.03106
- Ნაწილი ნომერი:
- ES1BLHMTG
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1BLHMTG electronic components. ES1BLHMTG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1BLHMTG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES1BLHMTG პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
ES1BLHMTG
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
950mV @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Sub SMA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
MSC030SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 30A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 20 A SiC SBD
-
-
MBRB1660-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60 Volt
-
NSB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
MBRB745-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 7.5 Amp 45 Volt
-
NSB8GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB. Rectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
ცხელი ნაწილები
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18
选择你的位置