Ნაწილი ნომერი :
STU13NM60N
მწარმოებელი :
STMicroelectronics
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
27nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
790pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
90W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
IPAK (TO-251)
პაკეტი / საქმე :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA