RFUH10NS4STL ფასები (აშშ დოლარი) [127997ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.31946
- 1,000 pcs$0.31787
- 2,000 pcs$0.29668
- 5,000 pcs$0.28185
- Ნაწილი ნომერი:
- RFUH10NS4STL
- მწარმოებელი:
- Rohm Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching 430V Vrm 10A Io Recovery Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFUH10NS4STL electronic components. RFUH10NS4STL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFUH10NS4STL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFUH10NS4STL პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
RFUH10NS4STL
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
430V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
10A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 10A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
25ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 430V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
LPDS
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
150°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VSB2045Y-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V .3V@5A TrenchMOS
-
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
S1AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 400V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
S1AFK-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 800V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
VS-2EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101
ცხელი ნაწილები
- CR5F-120 BK
- IRD3CH11DF6
- FR306TA
- CMSH1-100 BK
- JANTX1N6624U
- JAN1N6622US
- VS-30BQ100GPBF
- DSB3A40
- HS247180R
- UF5A400D1
- RD0106T-H
- UGF15HT-E3/45
- UF1506S-B
- MBRH20045L
- 1N1203BR
- GP10AHE3/54
- MBR1040
- STPS1545R
- MBRD360
- MA2C700A0F
- STTH3L06B-TR
- BYW80-200
- MBRB1045TRL
- 1N6542
- SD233N36S50PSC
- 6TQ045S
- 1N6549
- ES1J-TP
- FS2B-TP
- R2500-TP
- FR203-TP
- 1N4935-TP
- FR503-AP
- RS 1AV
- ES3G R7G
- RB160M-50TR
- MURS360SHE3_A/H
- SE20PDHM3/85A
- GP10-4007-E3/54
- BAS4002LE6327XTMA1
选择你的位置