IXYS - IXTP10N60P

KEY Part #: K6395005

IXTP10N60P ფასები (აშშ დოლარი) [38966ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.22241
  • 50 pcs$1.21633

Ნაწილი ნომერი:
IXTP10N60P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTP10N60P electronic components. IXTP10N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP10N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP10N60P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTP10N60P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
სერიები : Polar™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1610pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 200W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ