Toshiba Semiconductor and Storage - 2SA1312GRTE85LF

KEY Part #: K6390830

2SA1312GRTE85LF ფასები (აშშ დოლარი) [1484466ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02492

Ნაწილი ნომერი:
2SA1312GRTE85LF
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF electronic components. 2SA1312GRTE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SA1312GRTE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SA1312GRTE85LF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 2SA1312GRTE85LF
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : PNP
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 100mA
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 120V
Vce სატურაცია (მაქს) @ Ib, Ic : 300mV @ 1mA, 10mA
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 100nA (ICBO)
DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce : 200 @ 2mA, 6V
ძალა - მაქსიმუმი : 150mW
სიხშირე - გადასვლა : 100MHz
ოპერაციული ტემპერატურა : 125°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : S-Mini

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ