S29GL512S10GHI010 ფასები (აშშ დოლარი) [16028ცალი საფონდო]
- 1 pcs$3.55725
- 260 pcs$3.53955
- Ნაწილი ნომერი:
- S29GL512S10GHI010
- მწარმოებელი:
- Cypress Semiconductor Corp
- Დეტალური აღწერა:
- IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA. NOR Flash Nor
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - სპეციალობის ლოგიკა, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, PMIC - LED მძღოლები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აპარატურა, OP Amps, ბ, ჩაშენებული - მიკროპროცესორები, ინტერფეისი - ხმის ჩანაწერი და დაკვრა, ინტერფეისი - სპეციალიზირებული and ინტერფეისი - მძღოლები, მიმღები, გადამცემები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL512S10GHI010 electronic components. S29GL512S10GHI010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL512S10GHI010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S29GL512S10GHI010 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
S29GL512S10GHI010
მწარმოებელი :
Cypress Semiconductor Corp
აღწერა :
IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA
სერიები :
GL-S
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
FLASH
ტექნოლოგია :
FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა :
512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე :
-
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
60ns
წვდომის დრო :
100ns
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
56-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
56-FBGA (9x7)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
AT28HC256-12SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256E-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
W9825G2JB-6I TR
Winbond Electronics
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R
-
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
ცხელი ნაწილები
- CY7C024AV-25AXI
- AT49BV163AT-70TI
- AT25040A-10TU-1.8-T
- MT48LC64M4A2TG-75 L:D
- MT47H64M8CB-5E:B
- MT48LC16M16A2TG-7E:D TR
- AT93C46-10TI-2.7
- AT49LD3200B-20TI
- AT29C512-15PC
- AT27LV520-70XC
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- V29AL008D55TAIR10
- MT53B256M32D1Z91MWC1
- CG7821AA
- MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR
- N25Q032A11EF640F TR
- MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR
- IS43DR16128A-3DBLI
- EMFA164A2PM-DV-F-R TR
- AS4C128M16D3L-12BIN
- AS4C16M16S-6BINTR
- CY7C131E-55JXIT
- 7133LA25PF
- CY7C1041CV33-12BAXET
- MT47H256M8EB-25E XIT:C TR
- AT28LV256-25PI
- SST39VF010-70-4C-B3KE
- CAT24C04ZI-GT3
- 71V321L35TF
- IDT71V2556S133PF
- IDT71P73804S250BQ
- 7130SA20J
- IDT70T633S15DD
- PC28F256P30B85F
- CY62128BNLL-70SXAT
- M29F400BT90N6T TR
- IS42S16400D-7T
- MX66U51235FZ4I-10G
- S29GL064N90TFVR20
- S25FL128SAGMFA001
选择你的位置