Ნაწილი ნომერი :
IXDN602SIATR
მწარმოებელი :
IXYS Integrated Circuits Division
აღწერა :
2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
ორიენტირებული კონფიგურაცია :
Low-Side
კარიბჭის ტიპი :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ძაბვა - მიწოდება :
4.5V ~ 35V
ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH :
0.8V, 3V
აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) :
2A, 2A
შეყვანის ტიპი :
Non-Inverting
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) :
-
აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) :
7.5ns, 6.5ns
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOIC