Vishay Semiconductor Diodes Division - RMPG06GHE3_A/100

KEY Part #: K6438443

RMPG06GHE3_A/100 ფასები (აშშ დოლარი) [494821ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.07606
  • 12,000 pcs$0.07568

Ნაწილი ნომერი:
RMPG06GHE3_A/100
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GPP 1A 400V 150NS MPG06. Rectifiers 1A, 400V, 150NS, FS, MINIGPPRECT.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06GHE3_A/100 electronic components. RMPG06GHE3_A/100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06GHE3_A/100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RMPG06GHE3_A/100 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RMPG06GHE3_A/100
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GPP 1A 400V 150NS MPG06
სერიები : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 150ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : 6.6pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : MPG06, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : MPG06
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BYT79B-600PJ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers BYT79B-600PJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

  • 1N914B A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array

  • BAV21 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • C5D10170H

    Cree/Wolfspeed

    10A 1700V G5 ZREC SIC SCHOTTKY. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A

  • SMMBD330T1G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR

  • NSVBAS16WT3G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 75V TR