Ნაწილი ნომერი :
STFW12N120K5
მწარმოებელი :
STMicroelectronics
აღწერა :
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
690 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
44.2nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1370pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
63W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
ISOWATT-218FX
პაკეტი / საქმე :
ISOWATT218FX