IXYS - IXTP8N70X2M

KEY Part #: K6395108

IXTP8N70X2M ფასები (აშშ დოლარი) [45618ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.23396
  • 10 pcs$1.05612
  • 100 pcs$0.84853
  • 500 pcs$0.65997
  • 1,000 pcs$0.54683

Ნაწილი ნომერი:
IXTP8N70X2M
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTP8N70X2M electronic components. IXTP8N70X2M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP8N70X2M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP8N70X2M პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTP8N70X2M
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 700V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 800pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 32W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220 Isolated Tab
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ