1SS307E,L3F ფასები (აშშ დოლარი) [3127807ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.19775
- 10 pcs$0.14040
- 25 pcs$0.11533
- 100 pcs$0.09223
- 250 pcs$0.06706
- 500 pcs$0.05449
- 1,000 pcs$0.04192
- 2,500 pcs$0.03773
- Ნაწილი ნომერი:
- 1SS307E,L3F
- მწარმოებელი:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode SNG Low leak current
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E,L3F electronic components. 1SS307E,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS307E,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1SS307E,L3F პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
1SS307E,L3F
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
80V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
100mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.3V @ 100mA
სიჩქარე :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F :
6pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SC-79, SOD-523
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SC-79
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
150°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-50WQ06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-50WQ04FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
RGL34J-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
-
VS-ETL1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers 15A 600V Ultrafast 210ns
-
SGL41-60-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt
ცხელი ნაწილები
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54
选择你的位置