ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS45S16320D-7CTLA2-TR

KEY Part #: K915927

IS45S16320D-7CTLA2-TR ფასები (აშშ დოლარი) [5316ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$10.84069
  • 1,500 pcs$10.78675

Ნაწილი ნომერი:
IS45S16320D-7CTLA2-TR
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP. DRAM Automotive,512M,3.3V SDRAM,32Mx16,143MHz
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ, IC ჩიპები, საათი / დრო - პროგრამირებადი ქრონომეტრები და ოსცილ and საათი / დრო - IC ბატარეები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA2-TR electronic components. IS45S16320D-7CTLA2-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS45S16320D-7CTLA2-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS45S16320D-7CTLA2-TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS45S16320D-7CTLA2-TR
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე : 143MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS61LPD51236A-250B3LI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v

  • W25Q257FVFIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • W25Q257FVFIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • MT41K512M16HA-107 IT:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

  • MT41K512M16HA-107G:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ.

  • MT25QU128ABA8ESF-0AAT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2.