Diodes Incorporated - SBR02U100LP-7

KEY Part #: K6457001

SBR02U100LP-7 ფასები (აშშ დოლარი) [546014ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06774
  • 3,000 pcs$0.06102
  • 6,000 pcs$0.05732
  • 15,000 pcs$0.05362
  • 30,000 pcs$0.04918

Ნაწილი ნომერი:
SBR02U100LP-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
DIODE SBR 100V 250MA 2DFN. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A 100V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated SBR02U100LP-7 electronic components. SBR02U100LP-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR02U100LP-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBR02U100LP-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SBR02U100LP-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : DIODE SBR 100V 250MA 2DFN
სერიები : SBR®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Super Barrier
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 250mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 800mV @ 200mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 75V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 0402 (1006 Metric)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : X1-DFN1006-2
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-6EVL06HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.