ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400E-5TLI

KEY Part #: K936651

IS43R86400E-5TLI ფასები (აშშ დოლარი) [14702ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.11675

Ნაწილი ნომერი:
IS43R86400E-5TLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8, IT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - პროგრამირებადი ქრონომეტრები და ოსცილ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აპარატურა, OP Amps, ბ, PMIC - LED მძღოლები, PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ, PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები and საათი / დრო - განაცხადის სპეციფიკური ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5TLI electronic components. IS43R86400E-5TLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400E-5TLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R86400E-5TLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43R86400E-5TLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (64M x 8)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 66-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FM25V02A-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial

  • MR25H10CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • FM25V02A-DGQ

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • MR25H10CDF

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8DIP.

  • AT28HC256E-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM Parallel EEPROM 5V-120NS, 883c, GR