თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი
  5. JANS1N4099-1

Microsemi Corporation - JANS1N4099-1

KEY Part #: K6479699

JANS1N4099-1 ფასები (აშშ დოლარი) [789ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$56.25818
Ნაწილი ნომერი:
JANS1N4099-1
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANS1N4099-1 electronic components. JANS1N4099-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N4099-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N4099-1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANS1N4099-1
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/435
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 6.8V
ტოლერანტობა : ±5%
ძალა - მაქსიმუმი : 500mW
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 200 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 5.2V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 200mA
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-35

Უახლესი ცნობები

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAR43C

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.

  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

ცხელი ნაწილები