VS-ST110S16P0 ფასები (აშშ დოლარი) [739ცალი საფონდო]
- 1 pcs$59.79327
- 10 pcs$56.96669
- 25 pcs$55.75481
- Ნაწილი ნომერი:
- VS-ST110S16P0
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- SCR PHASE CONT 1600V 110A TO-94C. SCRs Thyristors - TO-83/94 COM RD-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST110S16P0 electronic components. VS-ST110S16P0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST110S16P0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST110S16P0 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
VS-ST110S16P0
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
SCR PHASE CONT 1600V 110A TO-94C
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო :
1.6kV
ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) :
3V
მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) :
150mA
ძაბვა - სახელმწიფოზე (ვტმ) (მაქს) :
1.52V
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) :
110A
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) :
175A
მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) :
600mA
მიმდინარე - გამორთული სახელმწიფო (მაქსიმალური) :
20mA
ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) :
2700A, 2830A
SCR ტიპი :
Standard Recovery
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 125°C
სამონტაჟო ტიპი :
Chassis, Stud Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-209AC, TO-94-4, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-209AC (TO-94)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
ცხელი ნაწილები
- TDK4423002DH
- T9K7280903DH
- VS-ST183S08MFL0
- VS-ST083S10PFK2
- C150B
- C150A
- CPS041-CS92D-CT20
- CPS041-2N5060-CT
- JANTX2N2324U4
- CD1039
- 2C2329
- 2N683A
- CS48-35PB
- CS218I-30N
- JANTXV2N2329
- JANTX2N2323S
- JAN2N2323AS
- TIC108N-S
- T72H044844DN
- TN815-800B
- TCR22-4RP
- S2S3RP
- S2035KTP
- S2008DS3TP
- S2006LS259
- 2N5061RLRAG
- TYN1006RG
- MCR718T4
- 12TTS08S
- 25TTS12STRL
- 16TTS08FP
- S2SRP
- S6008L
- BT152-500RT,127
- BT169H,412
- S8020L
- VS-25TTS08STRLPBF
- T72H123564DN
- EC103D1,116
- CLA30E1200PB
选择你的位置