Ნაწილი ნომერი :
DMJ70H900HJ3
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
700V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
18.4nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
603pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
68W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-251
პაკეტი / საქმე :
TO-251-3, IPak, Short Leads