Alliance Memory, Inc. - AS4C8M32S-7TCN

KEY Part #: K938600

AS4C8M32S-7TCN ფასები (აშშ დოლარი) [21159ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.62657
  • 10 pcs$2.39520
  • 25 pcs$2.34964
  • 50 pcs$2.33359

Ნაწილი ნომერი:
AS4C8M32S-7TCN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II. DRAM SDRAM,256M,3.3V 143Mhz,8M x 32
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ხაზოვანი - ანალოგური მულტიპლიკატორები, გამყოფი, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე, ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, PMIC - ბატარეის დამტენები, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, ლოგიკა - ცვლის რეგისტრატორები and PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-7TCN electronic components. AS4C8M32S-7TCN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C8M32S-7TCN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C8M32S-7TCN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C8M32S-7TCN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 256Mb (8M x 32)
საათის სიხშირე : 143MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5.5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 86-TSOP II

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AT28HC64BF-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • AT28HC64B-90SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 90NS IND TEMP

  • AT28HC64B-70SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM PRLLEL EEPROM 64K 8K 70NS SOIC IND TMP GR

  • MB85R256FPNF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP.

  • 7164S25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP. SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM

  • W9825G2JB-75 TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz, T&R