Vishay Semiconductor Diodes Division - ES07B-GS08

KEY Part #: K6455476

ES07B-GS08 ფასები (აშშ დოლარი) [710648ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05205
  • 3,000 pcs$0.04797
  • 6,000 pcs$0.04506
  • 15,000 pcs$0.04215
  • 30,000 pcs$0.03876

Ნაწილი ნომერი:
ES07B-GS08
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO219. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES07B-GS08 electronic components. ES07B-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES07B-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES07B-GS08 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ES07B-GS08
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 500MA DO219
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 500mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 980mV @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 25ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-219AB (SMF)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FFD10UP20S

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 10A DPAK. Rectifiers 200V 10A Ultrafast

  • C3D04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A

  • CSD01060E-TR

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V

  • DB3X316K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

  • BAS21E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A

  • BAT64E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A