Micron Technology Inc. - MT41K512M8V00HWC1-N002

KEY Part #: K915926

[11235ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MT41K512M8V00HWC1-N002
    მწარმოებელი:
    Micron Technology Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    IC DRAM 4G PARALLEL.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აპარატურა, OP Amps, ბ, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, PMIC - ენერგეტიკის მენეჯმენტი - სპეციალიზირებული, მონაცემთა შეძენა - ციფრული გადამყვანების ანალოგები and ლოგიკა - ცვლის რეგისტრატორები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1-N002 electronic components. MT41K512M8V00HWC1-N002 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT41K512M8V00HWC1-N002, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT41K512M8V00HWC1-N002 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MT41K512M8V00HWC1-N002
    მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
    აღწერა : IC DRAM 4G PARALLEL
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    მეხსიერების ტიპი : Volatile
    მეხსიერების ფორმატი : DRAM
    ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3L
    მეხსიერების ზომა : 4Gb (512M x 8)
    საათის სიხშირე : -
    დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
    წვდომის დრო : -
    მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
    ძაბვა - მიწოდება : 1.283V ~ 1.45V
    ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 95°C (TC)
    სამონტაჟო ტიპი : -
    პაკეტი / საქმე : -
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IS61LPD51236A-250B3LI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v

    • W25Q257FVFIG

      Winbond Electronics

      IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

    • W25Q257FVFIG TR

      Winbond Electronics

      IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

    • MT41K512M16HA-107 IT:A

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

    • MT41K512M16HA-107G:A

      Micron Technology Inc.

      IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ.

    • MT25QU128ABA8ESF-0AAT

      Micron Technology Inc.

      IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2.