Ნაწილი ნომერი :
TPCF8102(TE85L,F,M
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
19nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1550pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
700mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
VS-8 (2.9x1.5)
პაკეტი / საქმე :
8-SMD, Flat Lead