Vishay Semiconductor Diodes Division - GBLA08-E3/45

KEY Part #: K6538137

GBLA08-E3/45 ფასები (აშშ დოლარი) [164313ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.22510
  • 2,000 pcs$0.18538

Ნაწილი ნომერი:
GBLA08-E3/45
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL. Bridge Rectifiers 800 Volt 4.0 Amp Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBLA08-E3/45 electronic components. GBLA08-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBLA08-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBLA08-E3/45 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBLA08-E3/45
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 4A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 800V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBL
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBL

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CPC7556N

    IXYS Integrated Circuits Division

    BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.

  • RMB2S-E3/80

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • MB2M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM

  • TSS4B03GHC2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B.

  • TSS4B04GHC2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A TS4B.

  • TSS4B03GHD2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect