მეხსიერება

გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ

W25Q16CVZPJG TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 16MB.

3907ცალი საფონდო

W25Q32FWSSIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC.

3471ცალი საფონდო

W631GU6MB12J

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA.

674ცალი საფონდო

W631GG6KB11I TR

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 96BGA.

556ცალი საფონდო

W632GU8KT-12

W632GU8KT-12

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

7791ცალი საფონდო

W25Q128FVBIG

W25Q128FVBIG

Winbond Electronics

IC FLASH 128M SPI 24TFBGA.

7717ცალი საფონდო

W25Q256FVCIP TR

W25Q256FVCIP TR

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA.

6069ცალი საფონდო

W25Q256FVBIP TR

W25Q256FVBIP TR

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA.

6053ცალი საფონდო

W25Q64FVSTIM

W25Q64FVSTIM

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP.

5752ცალი საფონდო

W25Q64FVZEIF

W25Q64FVZEIF

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON.

5735ცალი საფონდო

W25Q64FVDAIQ

W25Q64FVDAIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8DIP.

5668ცალი საფონდო

W25Q80JVZPIQ TR

W25Q80JVZPIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8WSON.

4580ცალი საფონდო

W25Q80JVSVIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8VSOP.

4380ცალი საფონდო

W9412G6KH-4

W9412G6KH-4

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II.

282ცალი საფონდო

W25Q32DWSSIG TR

W25Q32DWSSIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC.

232ცალი საფონდო

W25Q16DWUUIG

W25Q16DWUUIG

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON.

99ცალი საფონდო

W25Q257FVEIF TR

W25Q257FVEIF TR

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON.

7098ცალი საფონდო

W25Q256FVBIG TR

W25Q256FVBIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA.

14165ცალი საფონდო

W25Q20EWZPIG TR

W25Q20EWZPIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON.

13981ცალი საფონდო

W25Q32FWXGIG TR

W25Q32FWXGIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8XSON.

12578ცალი საფონდო