Winbond Electronics მწარმოებელი, მარაგში ხელმისაწვდომია Winbond Electronics პროდუქტები

საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი	აღწერა / PDF	რაოდენობა / RFQ
W98AD6KBGX6I TR Winbond Electronics	1GB MSDR X16 166MHZ IND.	975ცალი საფონდო
W25Q128FVEIF TR Winbond Electronics	IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.	958ცალი საფონდო
W98AD2KBJX6I TR Winbond Electronics	1GB MSDR X32 166MHZ IND.	942ცალი საფონდო
W98AD2KBJX6E TR Winbond Electronics	1GB MSDR X32 166MHZ.	10032ცალი საფონდო
W971GG8KB25I TR Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA.	891ცალი საფონდო
W971GG6KB25I TR Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA.	874ცალი საფონდო
W948D6FBHX6E TR Winbond Electronics	IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 256M mDDR, x16, 166MHz, 65nm T&R	859ცალი საფონდო
W971GG6KB-25 TR Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA.	12361ცალი საფონდო
W971GG6KB-18 TR Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA.	825ცალი საფონდო
W948D6FBHX5I TR Winbond Electronics	IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 256M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp T&R	807ცალი საფონდო
W632GU8KB12I TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA.	674ცალი საფონდო
W632GU8KB-15 TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA.	606ცალი საფონდო
W632GU8KB-12 TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA.	589ცალი საფონდო
W632GU6KB15I TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA.	573ცალი საფონდო
W632GU6KB-15 TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA.	556ცალი საფონდო
W632GU6KB-12 TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA.	539ცალი საფონდო
W632GU6KB12I TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA.	522ცალი საფონდო
W632GG6KB12I TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA.	505ცალი საფონდო
W632GG6KB-15 TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA.	489ცალი საფონდო
W632GG6KB15I TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA.	472ცალი საფონდო

მეხსიერება

კლასიფიკაციის გვერდები