მეხსიერება

გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ

W631GG6KS-12 TR

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 96BGA.

5209ცალი საფონდო

W631GG6KS-12

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 96BGA.

5141ცალი საფონდო

W25Q257FVFIG

W25Q257FVFIG

Winbond Electronics

IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

11844ცალი საფონდო

W25Q257FVFIG TR

W25Q257FVFIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

11810ცალი საფონდო

W632GU8AB-12

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

6855ცალი საფონდო

W632GU8AB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

6838ცალი საფონდო

W632GU8AB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ.

6821ცალი საფონდო

W632GU6KB-11

W632GU6KB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ.

6719ცალი საფონდო

W632GU6KB12J

W632GU6KB12J

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

6703ცალი საფონდო

W632GU6KB11I

W632GU6KB11I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ.

6669ცალი საფონდო

W632GU6AB-12

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

6618ცალი საფონდო

W632GU6AB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

658ცალი საფონდო

W632GG8AB-15

W632GG8AB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

6584ცალი საფონდო

W632GU6AB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ.

6551ცალი საფონდო

W632GG8KB-09

W632GG8KB-09

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ.

6534ცალი საფონდო

W632GG8AB-12

W632GG8AB-12

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

6517ცალი საფონდო

W632GG8AB-11

W632GG8AB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ.

6500ცალი საფონდო

W632GG6KB-18

W632GG6KB-18

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ.

6483ცალი საფონდო

W632GG6KB15J

W632GG6KB15J

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

6415ცალი საფონდო

W632GG6KB12J

W632GG6KB12J

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

6365ცალი საფონდო