გამოსახულება | საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი | აღწერა / PDF | რაოდენობა / RFQ |
---|---|---|---|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H. |
156ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
IC TRANS RF LDMOS. |
697ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230. |
844ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S. |
573ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230. |
550ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 133V 512MHZ NI360L. |
1844ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
RF TRANSISTOR 100W TO-220. |
3785ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 32V OM-780-2. |
539ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
RF MOSFET LDMOS 50V TO247. |
1909ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
RF TRANSISTOR 100W TO-220. |
3785ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4. |
416ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO. |
897ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 70V 960MHZ QM780-2. |
1756ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4. |
1483ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR. |
802ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
2700-3500 MHZ 60 W PEAK 50V WI. |
435ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI1230S. |
522ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.4GHZ. |
626ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2. |
692ცალი საფონდო |
|
NXP USA Inc. |
FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2. |
704ცალი საფონდო |