თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი

დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი

გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ
IDH20G65C5XKSA2

IDH20G65C5XKSA2

Infineon Technologies

DIODE SCHOTKY 650V 20A TO220-2-1. Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

10638ცალი საფონდო

IRD3CH9DB6

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE.

3283ცალი საფონდო

IRD3CH9DD6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

7428ცალი საფონდო

IRD3CH82DF6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3281ცალი საფონდო

IRD3CH82DD6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3281ცალი საფონდო

IRD3CH82DB6

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DIE.

7428ცალი საფონდო

IRD3CH5DB6

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE.

7428ცალი საფონდო

IRD3CH5BD6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

7428ცალი საფონდო

IRD3CH53DF6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3280ცალი საფონდო

IRD3CH53DB6

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE.

3280ცალი საფონდო

IRD3CH42DF6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3280ცალი საფონდო

IRD3CH42DB6

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE.

3278ცალი საფონდო

IRD3CH42DD6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3278ცალი საფონდო

IRD3CH31DF6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3277ცალი საფონდო

IRD3CH31DD6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3277ცალი საფონდო

IRD3CH31DB6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3277ცალი საფონდო

IRD3CH24DD6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

7426ცალი საფონდო

IRD3CH24DF6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3275ცალი საფონდო

IRD3CH24DB6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

7426ცალი საფონდო

IRD3CH16DF6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3274ცალი საფონდო

კლასიფიკაციის გვერდები