UFS, KLUBG4G1ZF-B0CQ, KLUCG2K1EA-B0C1, 0

საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი	აღწერა / PDF	რაოდენობა / RFQ
KLUBG4G1ZF-B0CP Samsung Semiconductor	UFS 2.1 32 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production.	17314ცალი საფონდო
KLUBG4G1ZF-B0CQ Samsung Semiconductor	UFS 2.1 32 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production.	20468ცალი საფონდო
KLUCG2K1EA-B0C1 Samsung Semiconductor	UFS 2.1 64 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production.	23209ცალი საფონდო
KLUCG4J1ED-B0C1 Samsung Semiconductor	UFS 2.1 64 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production.	14362ცალი საფონდო
KLUCG4J1ZD-B0CP Samsung Semiconductor	UFS 2.1 64 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production.	14367ცალი საფონდო
KLUCG4J1ZD-B0CQ Samsung Semiconductor	UFS 2.1 64 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production.	14685ცალი საფონდო
KLUDG4U1EA-B0C1 Samsung Semiconductor	UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production.	16279ცალი საფონდო
KLUDG8J1ZD-B0CP Samsung Semiconductor	UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 85 °C Mass Production.	23289ცალი საფონდო
KLUDG8J1ZD-B0CQ Samsung Semiconductor	UFS 2.1 128 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Mass Production.	14179ცალი საფონდო
KLUEGAJ1ZD-B0CQ Samsung Semiconductor	UFS 2.1 256 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.72 mm -40 ~ 105 °C Mass Production.	26335ცალი საფონდო
KLUFG8R1EM-B0C1 Samsung Semiconductor	UFS 2.1 512 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production.	22600ცალი საფონდო
KLUGGAR1FA-B2C1 Samsung Semiconductor	UFS 2.1 1 TB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.4 mm -25 ~ 85 °C Mass Production.	19948ცალი საფონდო
KLUGGARHDA-B0D1 Samsung Semiconductor	UFS 3.0 1 TB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.25 mm -25 ~ 85 °C Sample.	17877ცალი საფონდო

UFS

კლასიფიკაციის გვერდები