თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი

დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი


გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ

IRD3CH24DF6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3275ცალი საფონდო

1N6660CCT1

Microsemi Corporation

RECTIFIER DIODE. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky

739ცალი საფონდო

IRD3CH24DB6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

7426ცალი საფონდო

IRD3CH16DF6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3274ცალი საფონდო

IRD3CH16DB6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3274ცალი საფონდო
JAN1N5617

JAN1N5617

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL. Zener Diodes D MET 1A FAST 400V

11852ცალი საფონდო

IRD3CH16DD6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3273ცალი საფონდო

IRD3CH11DF6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3273ცალი საფონდო

1N7039CCU1

Microsemi Corporation

SCHOTTKY RECTIFIER. Schottky Diodes & Rectifiers Diode Metal

744ცალი საფონდო

IRD3CH101DF6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3271ცალი საფონდო

IRD3CH11DB6

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE.

3271ცალი საფონდო

IRD3CH101DB6

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE.

3271ცალი საფონდო

IRD3CH101DD6

Infineon Technologies

DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED.

3271ცალი საფონდო
SS36LHE-TP

SS36LHE-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE.

3271ცალი საფონდო
SS36HE-TP

SS36HE-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE.

3270ცალი საფონდო
SS34LHE-TP

SS34LHE-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD123HE.

3270ცალი საფონდო
SF3004PT C0G

SF3004PT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AD. Rectifiers 35ns30A 200V Sp Fst Recov Rectifier

54689ცალი საფონდო
SS34HE-TP

SS34HE-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD123HE.

3270ცალი საფონდო
SS310LHE-TP

SS310LHE-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123HE.

3268ცალი საფონდო
SS315HE-TP

SS315HE-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 150V 3A SOD123HE.

3268ცალი საფონდო

კლასიფიკაციის გვერდები