დიოდები - ხიდის გასწორება, KBPF305GB0G, KBPF205GC0G, 187

საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი	აღწერა / PDF	რაოდენობა / RFQ
KBPF306G B0G Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBPF.	12434ცალი საფონდო
KBPF305G B0G Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPF.	12433ცალი საფონდო
KBPF205G C0G Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPF.	4082ცალი საფონდო
KBPF206G B0G Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPF.	12433ცალი საფონდო
KBPF204G B0G Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBPF.	12433ცალი საფონდო
KBPF205G B0G Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPF.	12433ცალი საფონდო
CBR1U-D010S Central Semiconductor Corp	BRIDGE RECT 1P 100V 1A 4SMDIP.	12432ცალი საფონდო
CBR1U-D020S H Central Semiconductor Corp	BRIDGE RECT 1P 200V 1A 4SMDIP.	12432ცალი საფონდო
CBR1U-D020S TR13 H Central Semiconductor Corp	BRIDGE RECT 1P 200V 1A 4SMDIP.	4082ცალი საფონდო
MMB10G-HF Comchip Technology	BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MMB.	12432ცალი საფონდო
MMB8G-HF Comchip Technology	BRIDGE RECT 1P 800V 800MA MMB.	12430ცალი საფონდო
MMB10G-G Comchip Technology	BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 800MA MMB.	12430ცალი საფონდო
MMB6G-HF Comchip Technology	BRIDGE RECT 1P 600V 800MA MMB.	12430ცალი საფონდო
MMB8G-G Comchip Technology	BRIDGE RECT 1P 800V 800MA MMB.	12430ცალი საფონდო
GBU8D-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU. Bridge Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp Glass Passivated	51104ცალი საფონდო
MMB4G-HF Comchip Technology	BRIDGE RECT 1P 400V 800MA MMB.	12429ცალი საფონდო
MMB6G-G Comchip Technology	BRIDGE RECT 1P 600V 800MA MMB.	12429ცალი საფონდო
MMB4G-G Comchip Technology	BRIDGE RECT 1P 400V 800MA MMB.	12429ცალი საფონდო
MMB2G-HF Comchip Technology	BRIDGE RECT 1P 200V 800MA MMB.	12429ცალი საფონდო
MMB2G-G Comchip Technology	BRIDGE RECT 1P 200V 800MA MMB.	12427ცალი საფონდო

დიოდები - ხიდის გასწორება

კლასიფიკაციის გვერდები