Ნაწილი ნომერი :
ISL9R8120S3ST
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
3.3V @ 8A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
300ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F :
30pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C