Vishay Siliconix - SI7139DP-T1-GE3

KEY Part #: K6411721

SI7139DP-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [127858ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.28928
  • 3,000 pcs$0.27165

Ნაწილი ნომერი:
SI7139DP-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7139DP-T1-GE3 electronic components. SI7139DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7139DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7139DP-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7139DP-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 146nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4230pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 5W (Ta), 48W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ