Toshiba Semiconductor and Storage - RN2105ACT(TPL3)

KEY Part #: K6528231

RN2105ACT(TPL3) ფასები (აშშ დოლარი) [1795726ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02070
  • 10,000 pcs$0.02060

Ნაწილი ნომერი:
RN2105ACT(TPL3)
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT(TPL3) electronic components. RN2105ACT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2105ACT(TPL3), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2105ACT(TPL3) პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RN2105ACT(TPL3)
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : PNP - Pre-Biased
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 80mA
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 50V
რეზისტორული ბაზა (R1) : 2.2 kOhms
რეზისტორული - ემიტერის ბაზა (R2) : 47 kOhms
DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce სატურაცია (მაქს) @ Ib, Ic : 150mV @ 250µA, 5mA
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 500nA
სიხშირე - გადასვლა : -
ძალა - მაქსიმუმი : 100mW
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SC-101, SOT-883
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : CST3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FJN4309RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • BCR 183 B6327

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3.

  • BCR166B6327HTLA1

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3.

  • BCR 162 B6327

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3.

  • BCR 158 B6327

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3.

  • BCR 148 B6327

    Infineon Technologies

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.