Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV203-GS08

KEY Part #: K6458572

BAV203-GS08 ფასები (აშშ დოლარი) [2548268ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01451
  • 2,500 pcs$0.01398
  • 5,000 pcs$0.01261
  • 12,500 pcs$0.01096
  • 25,000 pcs$0.00987
  • 62,500 pcs$0.00877
  • 125,000 pcs$0.00731

Ნაწილი ნომერი:
BAV203-GS08
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 625mA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV203-GS08 electronic components. BAV203-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV203-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV203-GS08 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAV203-GS08
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 250mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 100mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100nA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOD-80 Variant
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOD-80 QuadroMELF
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 175°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAS16WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR