Ნაწილი ნომერი :
DLN10C-BT
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
980mV @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 200V
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
R-1 (Axial)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
-
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
150°C (Max)