Ნაწილი ნომერი :
IXTH50N25T
აღწერა :
MOSFET N-CH 250V 50A TO-247
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
250V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
78nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4000pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
400W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247 (IXTH)
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3