Microsemi Corporation - JANTXV1N6628

KEY Part #: K6440127

JANTXV1N6628 ფასები (აშშ დოლარი) [3410ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$14.93216
  • 10 pcs$13.81236
  • 25 pcs$12.69238

Ნაწილი ნომერი:
JANTXV1N6628
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - მასივები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6628 electronic components. JANTXV1N6628 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6628, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6628 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N6628
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/590
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 660V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.75A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.35V @ 2A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 660V
Capacitance @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : E, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GSD2004W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT42W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM AUTO

  • GSD2004W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT42W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM

  • BAT54W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 200mA 30 Volt

  • BAT46W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 100Volt 150mA 750mA AUTO