Infineon Technologies - IPP50R299CPXKSA1

KEY Part #: K6398907

IPP50R299CPXKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [37408ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.99090
  • 10 pcs$0.89306
  • 100 pcs$0.71775
  • 500 pcs$0.55824
  • 1,000 pcs$0.46254

Ნაწილი ნომერი:
IPP50R299CPXKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPP50R299CPXKSA1 electronic components. IPP50R299CPXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP50R299CPXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP50R299CPXKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPP50R299CPXKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
სერიები : CoolMOS™
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 550V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 440µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1190pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 104W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-3-1
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • IPA80R450P7XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 11A TO220.

  • SPA15N60C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 15A TO-220.